Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Source Gate On-Capacitance
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 to 60mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Source Gate On-Capacitance
5pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.