N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 124-2249Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SUP70040E-GE3
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.65mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Height

15.49mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Χώρα Προέλευσης

Taiwan, Province Of China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 4,26

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 5,282

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 4,26

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 5,282

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP70040E-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 45€ 4,26€ 21,30
50 - 120€ 3,20€ 16,00
125 - 245€ 2,95€ 14,75
250 - 495€ 2,67€ 13,35
500+€ 2,47€ 12,35

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.65mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.51mm

Typical Gate Charge @ Vgs

76 nC @ 10 V

Height

15.49mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Χώρα Προέλευσης

Taiwan, Province Of China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor