Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
134 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,25
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,31
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 0,25
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,31
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
100
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,25 | € 25,00 |
600 - 1400 | € 0,20 | € 20,00 |
1500+ | € 0,18 | € 18,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
134 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος