N-channel MOSFET,IRF630 9A 200V 50pcs

Κωδικός Προϊόντος της RS: 368-3210Κατασκευαστής: Fairchild SemiconductorΚωδικός Κατασκευαστή: IRF630
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

74 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Height

9.15mm

Width

4.6mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Molex BEAU Series Power Connectors

Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics IRF630
€ 2,406Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRF630 9A 200V 50pcs

P.O.A.

N-channel MOSFET,IRF630 9A 200V 50pcs
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics IRF630
€ 2,406Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

74 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Height

9.15mm

Width

4.6mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Molex BEAU Series Power Connectors

Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics IRF630
€ 2,406Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α