Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
BSC035N10NS5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Length
5.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,55
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,162
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5000
€ 2,55
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,162
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
BSC035N10NS5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Length
5.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.1V