Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 262-5867PΚατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPD038N06NF2SATMA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD038N06NF2SATMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more