Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Configuration
Single
Mounting Type
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Series
HEXFET
Width
4.69mm
Package Type
TO-220AB
Length
10.54mm
Height
8.77mm
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
InfineonMaximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 10 V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,11
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,376
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 1,11
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,376
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
20
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 80 | € 1,11 | € 22,20 |
100 - 180 | € 0,88 | € 17,60 |
200 - 480 | € 0,86 | € 17,20 |
500 - 980 | € 0,81 | € 16,20 |
1000+ | € 0,76 | € 15,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Pin Count
3
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Configuration
Single
Mounting Type
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Series
HEXFET
Width
4.69mm
Package Type
TO-220AB
Length
10.54mm
Height
8.77mm
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
InfineonMaximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 10 V
Χώρα Προέλευσης
China