Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0
Typical Power Gain
0
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 7,49
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,288
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
2
€ 7,49
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,288
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
2
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 8 | € 7,49 | € 14,98 |
10 - 18 | € 7,21 | € 14,42 |
20 - 48 | € 6,60 | € 13,20 |
50 - 98 | € 6,02 | € 12,04 |
100+ | € 5,80 | € 11,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20.7 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220 FP
Series
CoolMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
34.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Width
4.85mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
0
Typical Power Gain
0
Height
16.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C