Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,40
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,496
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 0,40
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,496
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,40 | € 10,00 |
125 - 475 | € 0,20 | € 5,00 |
500 - 1225 | € 0,18 | € 4,50 |
1250+ | € 0,15 | € 3,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
1.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος