Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Series
MTM
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, Panasonic
MOSFET Transistors, Panasonic
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
PanasonicChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
Smini3-G1-B
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2mm
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Series
MTM
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος