Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 138,50
€ 2,77 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 171,74
€ 3,435 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 138,50
€ 2,77 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 171,74
€ 3,435 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,77 | € 138,50 |
100 - 200 | € 2,27 | € 113,50 |
250+ | € 2,09 | € 104,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
27 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
16.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος