E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS

Κωδικός Προϊόντος της RS: 827-4919PΚατασκευαστής: Texas InstrumentsΚωδικός Κατασκευαστή: CSD19536KCS
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.51mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 134,94

€ 5,19 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 167,33

€ 6,436 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 134,94

€ 5,19 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 167,33

€ 6,436 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

259 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

118 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.51mm

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more