Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
120 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Small Signal NPN Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,30
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,372
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
25
€ 0,30
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,372
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,30 | € 7,50 |
125 - 225 | € 0,28 | € 7,00 |
250 - 475 | € 0,28 | € 7,00 |
500 - 1225 | € 0,28 | € 7,00 |
1250+ | € 0,28 | € 7,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Package Type
SOT-346 (SC-59)
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
150 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
120 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maximum Operating Temperature
+125 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος