N-Channel MOSFET, 14.4 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 4.380,00
€ 1,46 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.431,20
€ 1,81 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 4.380,00
€ 1,46 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.431,20
€ 1,81 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.4 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
56.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.99mm
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China