Dual N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Width
3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,55
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,682
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,55
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,682
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAIR 3 x 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
16.7 W
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Width
3mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Height
0.75mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V