Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 4,31
Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,344
Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
€ 4,31
Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,344
Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
25 - 25 | € 4,31 | € 107,75 |
50 - 100 | € 4,11 | € 102,75 |
125+ | € 3,78 | € 94,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Series
D Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος