Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TSOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
TSOP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος