Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,83
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,029
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 0,83
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,029
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,83 | € 16,60 |
100 - 180 | € 0,68 | € 13,60 |
200 - 480 | € 0,66 | € 13,20 |
500 - 980 | € 0,63 | € 12,60 |
1000+ | € 0,60 | € 12,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
7.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος