Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A, 5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
PowerPAK SO-8L
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
0.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Series
E
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
N-Channel MOSFET, 3.5 A, 5.6 A, 650 V, 5-Pin PowerPAK SO-8L Vishay SIHJ690N60E-T1-GE3
3000
P.O.A.
N-Channel MOSFET, 3.5 A, 5.6 A, 650 V, 5-Pin PowerPAK SO-8L Vishay SIHJ690N60E-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A, 5.6 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
PowerPAK SO-8L
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
0.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Series
E