Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
100
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,35 | € 35,00 |
500 - 900 | € 0,23 | € 23,00 |
1000 - 2400 | € 0,23 | € 23,00 |
2500 - 4900 | € 0,20 | € 20,00 |
5000+ | € 0,20 | € 20,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος