Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
2.6mm
Transistor Material
Si
Length
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,21
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,50
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 1,21
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,50
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,21 | € 12,10 |
50 - 240 | € 1,11 | € 11,10 |
250 - 490 | € 1,08 | € 10,80 |
500+ | € 1,08 | € 10,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
2.6mm
Transistor Material
Si
Length
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.7 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος