SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V AG-EASY1B-2 Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 234-8965Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: F423MR12W1M1B76BPSA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

AG-EASY1B-2

Series

F4

Mounting Type

Chassis Mount

Maximum Drain Source Resistance

0.0225 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

5.55V

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V AG-EASY1B-2 Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

1

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V AG-EASY1B-2 Infineon F423MR12W1M1B76BPSA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

1

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

45 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

AG-EASY1B-2

Series

F4

Mounting Type

Chassis Mount

Maximum Drain Source Resistance

0.0225 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

5.55V

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more