E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon SI4435DYTRPBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 170-2264Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: SI4435DYTRPBF
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 1.680,00

€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2.083,20

€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon SI4435DYTRPBF

€ 1.680,00

€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 2.083,20

€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Infineon SI4435DYTRPBF
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more