Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-243AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
€ 22,00
€ 1,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 27,28
€ 1,364 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 22,00
€ 1,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 27,28
€ 1,364 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 20 | € 1,10 | € 22,00 |
40 - 80 | € 1,07 | € 21,40 |
100+ | € 0,99 | € 19,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-243AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.