Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
3mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,05
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 0,05
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
3mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος