Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Height
1.6mm
Width
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1000
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Package Type
SOT-89
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
-90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
-50nA
Height
1.6mm
Width
2.6mm
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
4.6 x 2.6 x 1.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.6mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος