Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75mm