onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

Κωδικός Προϊόντος της RS: 178-4811Κατασκευαστής: onsemiΚωδικός Κατασκευαστή: MJD112-1G
brand-logo

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Height

6.35mm

Width

2.38mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
€ 1,029Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,71

Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,88

Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)

€ 0,71

Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 0,88

Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α

onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Ράγα
75 - 75€ 0,71€ 53,25
150 - 300€ 0,68€ 51,00
375+€ 0,66€ 49,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
€ 1,029Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

2 A

Maximum Collector Emitter Voltage

100 V

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Package Type

IPAK (TO-251)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Minimum DC Current Gain

1000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Maximum Collector Cut-off Current

20µA

Height

6.35mm

Width

2.38mm

Maximum Power Dissipation

20 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.35mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
onsemi MJD112-1G NPN Darlington Transistor, 2 A 100 V HFE:1000, 3-Pin IPAK (TO-251)
€ 1,029Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α