Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Czech Republic
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,81
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,004
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
€ 0,81
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,004
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Czech Republic
Λεπτομέρειες Προϊόντος