Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 8,82
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,937
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
450
€ 8,82
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,937
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
450
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V