Renesas Electronics RJH65T14DPQ-A0#T0 IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247A, Through Hole
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
250 W
Package Type
TO-247A
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Gate Capacitance
1750pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsMaximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Maximum Power Dissipation
250 W
Package Type
TO-247A
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.94 x 5.02 x 21.13mm
Gate Capacitance
1750pF
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Χώρα Προέλευσης
China