SiC N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW90N65G2V
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
119 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
Hip247
Series
SCTW90
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.024 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 48,98
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 60,74
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
€ 48,98
Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 60,74
Μονάδας (Including VAT) Με Φ.Π.Α
1
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 4 | € 48,98 |
5 - 9 | € 46,73 |
10 - 24 | € 44,92 |
25 - 49 | € 43,05 |
50+ | € 41,59 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
119 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
Hip247
Series
SCTW90
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.024 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1