Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 3,78
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,687
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
€ 3,78
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 4,687
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,78 | € 18,90 |
25 - 45 | € 3,63 | € 18,15 |
50 - 120 | € 3,33 | € 16,65 |
125 - 245 | € 3,02 | € 15,10 |
250+ | € 2,92 | € 14,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Width
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Χώρα Προέλευσης
China