Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2.075,00
€ 0,83 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.573,00
€ 1,029 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.075,00
€ 0,83 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.573,00
€ 1,029 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46.5 nC @ 10 V
Width
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος