STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT 5 x 6 STL110N10F7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Transistor Material
Si
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 18,40
€ 3,68 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,82
€ 4,563 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 18,40
€ 3,68 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,82
€ 4,563 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
6.35mm
Transistor Material
Si
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.