Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 9,84
€ 9,84 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,20
€ 12,20 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 9,84
€ 9,84 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,20
€ 12,20 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 9,84 |
10 - 24 | € 9,19 |
25 - 99 | € 8,93 |
100 - 249 | € 7,86 |
250+ | € 7,70 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Typical Gate Charge @ Vgs
124 nC @ 10 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος