N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Taiwan Semi TSM230N06CP ROG
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Height
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,45
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,558
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
€ 0,45
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,558
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Height
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V