Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Width
3.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.1mm
Series
NexFET
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Width
3.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.1mm
Series
NexFET
Λεπτομέρειες Προϊόντος