E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19534KCS

Κωδικός Προϊόντος της RS: 145-1334Κατασκευαστής: Texas InstrumentsΚωδικός Κατασκευαστή: CSD19534KCS
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

118 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.1 nC @ 0 V

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Χώρα Προέλευσης

Philippines

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 62,00

€ 1,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 76,88

€ 1,538 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19534KCS

€ 62,00

€ 1,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 76,88

€ 1,538 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Texas Instruments CSD19534KCS
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

NexFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

118 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

Si

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

17.1 nC @ 0 V

Height

16.51mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Χώρα Προέλευσης

Philippines

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more