Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Package Type
TO-3PL
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 360,00
€ 3,60 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 446,40
€ 4,464 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 360,00
€ 3,60 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 446,40
€ 4,464 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Package Type
TO-3PL
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος