Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PW Mold2
Series
2SK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Height
5.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,40
€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,42
€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
20
€ 8,40
€ 0,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,42
€ 0,521 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 40 | € 0,42 | € 8,40 |
60 - 100 | € 0,37 | € 7,40 |
120 - 220 | € 0,31 | € 6,20 |
240 - 460 | € 0,31 | € 6,20 |
480+ | € 0,31 | € 6,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PW Mold2
Series
2SK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
20 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.3mm
Height
5.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος