Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.25mm
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Thailand
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,10 | € 10,00 |
500 - 900 | € 0,08 | € 8,00 |
1000+ | € 0,08 | € 8,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1.75 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
1.25mm
Length
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Thailand