E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S

Κωδικός Προϊόντος της RS: 827-6113Κατασκευαστής: ToshibaΚωδικός Κατασκευαστή: TK12E60W,S1VX(S
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Width

4.45mm

Height

15.1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 17,10

€ 3,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 21,20

€ 4,241 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 17,10

€ 3,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 21,20

€ 4,241 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V, 3-Pin TO-220 TK12E60W,S1VX(S
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
5 - 20€ 3,42€ 17,10
25 - 45€ 2,79€ 13,95
50 - 120€ 2,58€ 12,90
125 - 245€ 2,40€ 12,00
250+€ 2,19€ 10,95

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

11.5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

TK

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Width

4.45mm

Height

15.1mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more