Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4.45mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 17,10
€ 3,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 21,20
€ 4,241 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 17,10
€ 3,42 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 21,20
€ 4,241 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
5 - 20 | € 3,42 | € 17,10 |
25 - 45 | € 2,79 | € 13,95 |
50 - 120 | € 2,58 | € 12,90 |
125 - 245 | € 2,40 | € 12,00 |
250+ | € 2,19 | € 10,95 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
4.45mm
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος