Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 444,00
€ 14,80 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 550,56
€ 18,352 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 444,00
€ 14,80 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 550,56
€ 18,352 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
30 - 120 | € 14,80 | € 444,00 |
150 - 270 | € 13,52 | € 405,60 |
300+ | € 12,92 | € 387,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-247
Series
TK
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
400 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.02mm
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος