E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 541-1124Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: IRFBE30PBFDistrelec Article No.: 17115208
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VΚατασκευαστής: Vishay
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 3,18

€ 3,18 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,94

€ 3,94 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 3,18

€ 3,18 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,94

€ 3,94 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Vishay N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδας
1 - 9€ 3,18
10 - 49€ 3,13
50 - 99€ 3,05
100 - 249€ 2,92
250+€ 2,82

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VΚατασκευαστής: Vishay
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Width

4.7mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800V
N-channel MOSFET,IRFBE30 4.1A 800VΚατασκευαστής: Vishay
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α