Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
222 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
222 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος