Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5mm
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 18,80
€ 1,88 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 23,31
€ 2,331 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 18,80
€ 1,88 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 23,31
€ 2,331 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,88 | € 18,80 |
50 - 90 | € 1,80 | € 18,00 |
100 - 240 | € 1,64 | € 16,40 |
250 - 490 | € 1,57 | € 15,70 |
500+ | € 1,51 | € 15,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
5mm
Transistor Material
Si
Width
4mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος