P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 812-3215Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SI4431CDY-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

49 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 0,83

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,029

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 0,83

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 1,029

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α

P-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Αγοράστε μαζικά

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
20 - 80€ 0,83€ 16,60
100 - 180€ 0,68€ 13,60
200 - 480€ 0,66€ 13,20
500 - 980€ 0,63€ 12,60
1000+€ 0,60€ 12,00

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

7.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

49 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

4.2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.55mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET Transistor, 4.1 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI9435BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
P-Channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4431BDY-T1-E3
P.O.A.Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α