Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 75,50
€ 1,51 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 93,62
€ 1,872 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 75,50
€ 1,51 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 93,62
€ 1,872 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
50 - 245 | € 1,51 | € 7,55 |
250 - 495 | € 1,25 | € 6,25 |
500 - 1245 | € 1,04 | € 5,20 |
1250+ | € 0,97 | € 4,85 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.4 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος