Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
1206 ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
156 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
20
€ 0,35
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,434
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
20
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
1206 ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
156 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Width
1.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος